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电容器在电路中一般用“C”加数字表示.如C25表示编号为25的电容.电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。a;直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表示出来：如：220MF表示220UF；.01UF表示0.01UF；R56UF表示0.56UF;6n8表示6800PF.b;不标单位的数码表示法.其中用一位到四位数表示有效数字,一般为PF,而电解电容其容量则为UF.如:3表示3PF;2200表示2200PF;0.056表示0.056UF;c;数字表示法:一般用三为数字表示容量的大小,前两位表示有效数字,第三位表示10的倍幂.如102表示10*102=1000PF;224表示22*104=0.2UFd:用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。电路板上常见的电子元器件有哪些?电子元器件授权分销商

IT：IT信息技术。指以计算机为基础的能采集、存储、处理、管理和传输信息的技术。CPU：CPU中心处理器。CPU是计算机的心脏，包括运算部件和控制部件，是完成各种运算和控制的关键，也是决定计算机性能的比较重要的部件。主要的参数是工作的主频和一次传送或处理的数据的位数。芯片组：主芯片的类型或具体型号；存储器：专门用于保存数据信息的IC。逻辑电路：以二进制为原理的数字电路。了解更多相关资讯，欢迎来电咨询，我们真诚期待您的来电；电子元器件焊接方式电感的质量检测包括外观和阻值测量.

IC工艺线宽：线宽：4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等， 是指IC生产工艺可达到的比较小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，这是IC制造比较要害的技术。后工序晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。了解更多相关资讯，欢迎来电咨询；我们真诚期待您的来电。

Verilog HDL 跟传统的程序设计语言不同，在于它的程序叙述并非严格地线性 ( 循序 ) 执行。 Verilog 模式包含不同模组 (modules) 的阶层关系。模组 (modules) 是输出 (inputs) 和输入 (outputs) 所定义出来的一个集中。在每个模组中，有一串的电线 (wires) 、暂存器 (registers) 和子模组 (submodules) 的定义。并且在每个模组里面，语言叙述大部分都被群组成为各种的执行区块 (blocks) ，用来定义该模组所产生的行为描述。在每个区块 (blocks) 内，使用 begin 和 end 的关键字来区隔开来，其中的叙述是循序被执行。但是同一个设计，不同的区块间的执行是平行的。半导体三极管按机构分：PNP管和NPN管。

线路上直接检测：主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障，而对漏电故障由于受外电路的影响一般是测不准的。用万用表Ｒ×１挡，电路断开后，先放掉残存在电容器内的电荷。测量时若表针向右偏转，说明电解电容内部断路。如果表针向右偏转后所指示的阻值很小（接近短路），说明电容器严重漏电或已击穿。如果表针向右偏后无回转，但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的可能很大，应脱开电路后进一步检测。了解更多欢迎来电咨询。半导体三极管的分类按频率分：高频管和低频管。电子元器件查网

电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等。电子元器件授权分销商

晶圆：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是比较常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大的规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。IC封装：指把硅片上的电路管脚用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。电子元器件授权分销商